摘要

低维材料是发展新一代电子技术和纳米器件的关键。随着低维PtSe_(2)材料在实验中被成功合成,其制备方法简单、高稳定性、高载流子迁移率等优点引起了人们的极大兴趣,被视为最有希望的电子器件候选材料之一。在此,本文采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的第一性原理方法研究了低维PtSe_(2)材料的电子结构和输运性质,并沿不同的边界计算锯齿型和扶手椅型PtSe_(2)纳米带。结果表明不同的条带宽度对锯齿型边界下的PtSe_(2)影响很小,其能带结构均为金属性;而扶手椅型边界下则表现出有趣的奇偶特性。同时,不同边界的PtSe_(2)纳米器件具有高各向异性,其中锯齿型边界的PtSe_(2)纳米器件有更高的电流且表现出负微分电阻效应。这些结果将对今后低维纳米器件的发展起到积极的作用。