SiC单晶生长技术研究现状

作者：刘春俊

来源：中国照明电器, 2017, (10): 18-21.

• 碳化硅
• 单晶生长
• 物理气相传输法 SiC
• crystal growth
• physical vapor transport method

本文回顾了碳化硅单晶材料的发展历程和研究现状。主要讨论了物理气相传输法、高温化学气相沉积法(HTCVD)、液相法等SiC晶体生长方法,针对每种生长方法,阐述了其生长原理及研究现状。

• 单位
  北京天科合达半导体股份有限公司