烧结助剂对多孔氮化硅陶瓷的力学性能及介电性能的影响(英文)

作者：于方丽; 杨建锋; 薛耀辉; 高积强; 金志浩

来源：硅酸盐学报, 2008, (08): 1037-1041.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2008.08.010

• 烧结助剂
• 氮化硅陶瓷
• 力学性能
• 介电性能 sintering aid
• silicon nitride ceramics
• mechanical properties
• dielectric properties

通过添加烧结助剂,采用常压烧结工艺制备出不同气孔率(19%～54%)的氮化硅陶瓷。采用Archimedes法、三点弯曲法和Vickers硬度测试法测量了材料的密度、气孔率、抗弯强度及硬度。用X射线衍射及扫描电镜检测了相组成和显微结构。用谐振腔法测试了氮化硅陶瓷在10.2GHz的介电特性。结果表明:材料具有优良的介电性能。随着烧结助剂的减少,样品中气孔率增加,力学性能有所下降,介电常数和介电损耗降低。添加Lu2O3所制备的氮化硅陶瓷的力学性能和介电性能优于添加Eu2O3或Y2O3制备的氮化硅陶瓷。当气孔率高于50%时,多孔氮化硅陶瓷(添加入5%的Y2O3或Lu2O3,或Eu2O3,质量分数)的抗...