一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

作者：段宝兴; 曹震; 吕建梅; 师通通; 杨银堂

来源：2017-07-27, 中国, ZL201710623838.X.

本发明提出了一种具有复合介质层(Composite#Dielectric#Layer,CDL)宽带隙纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法,该器件主要是在器件栅电极下方漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅层(SIPOS)和高介电常数(High#K)介质层组成的复合介质层。器件关断时SIPOS柱与High#K介质层上具有均匀的电场,通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时,SIPOS柱与High#K介质层共同辅助耗尽漂移区,大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加,导通电阻降低。在器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层,使得器件的导通电阻进一步降低。

• 单位
  西安电子科技大学