原子层沉积Al2O3保护层氢终端金刚石MISFETs的电学特性(英文)

作者：张鹏飞; 陈伟东^*; 张少鹏; 闫淑芳; 马文; 王宏兴

来源：稀有金属材料与工程, 2021, 50(06): 1946-1949.

• 场效应晶体管
• 保护层
• Zr-Si-N/Al2O3

研究了Zr-Si-N氢终端金刚石(H-diamond)绝缘栅场效应晶体管(MISFET)在有无Al2O3保护层情况下的电学特性。分别采用原子层沉积法(ALD)和射频溅射法(RF)制备了Al2O3保护层和Zr-Si-N栅介质层。MISFETs的转移特性曲线表明,其栅阈值电压在有无Al2O3保护的情况下从-2.5 V变化到3 V,表明器件从常关型转换为常开型。输出和转移特性曲线揭示了氧化铝的存在保护了氢终端,使其免受磁控溅射过程的损伤。

• 单位
  西安交通大学; 内蒙古工业大学