用紫外热反射热成像测量GaN HEMT的峰值温度

作者：翟玉卫; 刘岩; 荆晓冬; 丁晨; 吴爱华

来源：电子器件, 2022, 45(06): 1348-1353.

• GaN HEMT
• 峰值温度
• 空间分辨率
• 热反射
• 红外

通过搭建一套以紫外LED作为光源的热反射热成像测温装置，对SiC衬底上的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道GaN材料的峰值温度进行了测量。搭建了一套以365 nm浅紫外LED为光源的热反射成像测温装置。采用清晰度算法和纳米量级三轴压电位移台实现对被测件的实时重聚焦。该装置具备400 nm的空间分辨率，被用于测量被测件GaN材料的峰值温度。测量过程中被测件漏源电压固定在28 V,漏源电流以100 mA为步进从200 mA变化至500 mA。利用具备2.8μm空间分辨率的显微红外热像仪进行了对比试验。随着漏源电流的上升，紫外热反射热成像测温结果比显微红外热成像测温结果高10.0℃至31.5℃。紫外热反射热成像技术较优的空间分辨率和景深指标使其能够更准确地测量GaN HEMT器件的峰值温度。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所