基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究

作者：浦志卫; 郭维

来源：电子器件, 2006, (3): 647-650.

DOI：10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.010

• 互补MOS工艺
• 延伸漏极N型MOS
• 二维器件模拟软件
• 击穿电压

延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压.用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压.实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2.5倍,样管在5 V栅压下输出的电流可达到750 mA.作为开关管工作,对于1 000 pF容性

• 单位
  浙江大学