考虑寄生参数影响的碳化硅MOSFET开关暂态分析模型

作者：柯俊吉; 赵志斌; 谢宗奎; 徐鹏; 崔翔

来源：电工技术学报, 2018, 33(08): 1762-1774.

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.161910

• 碳化硅MOSFET
• 电气应力
• 振荡频率
• 寄生参数
• 分析模型

为了评估回路及封装寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先建立包括所有寄生参数的开关暂态等效电路模型,详细分析器件开通和关断整个开关暂态过程。然后,在考虑实际器件的负压偏置及器件寄生电容的非线性变化的基础上,推导碳化硅MOSFET所承受电气应力(电压过冲、电流过冲)的简化解析式。其次,基于开通和关断过程的小信号等效电路讨论振荡频率与寄生参数之间的关系。最后,通过对比实验和计算结果,验证了该分析模型的合理性,且能够反映出寄生参数碳化硅MOSFET开关特性的影响规律。

• 单位
  新能源电力系统国家重点实验室; 华北电力大学