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摘要
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,通过在蓝宝石衬底刻蚀沟槽的方式,制备出连接沟槽两端的桥接氮化镓纳米线。由于桥接形态纳米线在制备电极时避免了引入电极接触势垒,当大电流通过纳米线时,由于焦耳热导致纳米线从表面开始向内部发生氧化,纳米线电阻发生不可逆增大,并最终发生熔断。COMSOL模拟结果及纳米线电阻测试实验结果均表明,氮化镓纳米线在3V电压下开始被氧化,在9V电压下发生熔断。本文提供了一种原位单向精确控制纳米线电阻的方法,同时也该方法也可以进一步应用于制备多种芯包层(Core/Shell)纳米线材料。
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