基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管（英文）

作者：魏佳童; 陈立伟; 胡海帆; 刘志远

来源：红外与激光工程, 2016, S1: 195-200.

• 雪崩光电二极管
• 波长范围
• 器件仿真

提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进雪崩光电二极管对光线波长的探测范围扩展到2001 400 nm。对雪崩光电二极管的关键参数,如器件内电场分布、暗电流、光电流、增益和光响应等进行了分析。仿真结果表明改进雪崩光电二极管的击穿电压为145 V。当阴极偏置电压为140 V时,该器件对900 nm波长光线的峰值响应可以达到22 A/W。在器件击穿之前,400 nm波长光线的电流增益可以对达到50。对改进雪崩光电二极管器件的工艺流程也进行了讨论。

• 单位
  哈尔滨工程大学; 中国电子科技集团公司第四十九研究所; 同方威视技术股份有限公司