LV/HV Twin-Well BCD[B]技术(2)芯片与制程剖面结构

作者：潘桂忠

来源：集成电路应用, 2019, 36(02): 30-34.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2019.02.007

• 集成电路制造
• 偏置栅结构
• LV/HV Twin-Well BCD[B]芯片结构
• 制程剖面结构

LV/HV Twin-Well BCD[B]技术(2)能够实现MOS器件低压5 V与高压100700 V (或更高)和双极型器件低压5 V与高压30100 V兼容的BCD工艺。为了便于高低压器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的HV LDMOS器件,亦同时形成HV双极型器件。改变漂移区的长度,宽度,结深度以及掺杂浓度等可以得到不同的高电压。采用芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。

• 单位
  上海贝岭股份有限公司