一种基于范德瓦耳斯力结合的GaAs/InGaN二结太阳电池结构及其制备方法

作者：李国强; 余粤锋; 刘兴江; 高鹏; 张志杰; 林静

来源：2019-12-23, 中国, ZL201911338817.9.

本发明属于太阳电池领域,公开了一种基于范德瓦耳斯力结合的GaAs/InGaN二结太阳电池结构及其制备方法。所述太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、GaAs外延层、第一石墨烯层、Au纳米颗粒层、第二石墨烯层,InGaN纳米柱阵列层、第三石墨烯层、Al-(2)O-(3)减反射层及在外围设置Au顶电极与第三石墨烯层接触。本发明利用能够发生等离激元效应的Au纳米颗粒层/Graphene复合表面作为子结结合结构,既提高整体光利用率,也实现了极高导电的子结间界面,从而提高GaAs太阳电池的转化效率。

• 单位
  华南理工大学; 中国电子科技集团公司第十八研究所