摘要

设计了一种用于电流舵DAC电流开关的高速编码逻辑电路.为了实现高运算速率,该电路采用多米诺结构;为了增强抗辐照能力,采用电阻电容双互锁结构进行加固.通过远程测试平台进行抗单粒子效应实测,普通电路在LET值为37.2 MeV·cm2/mg条件下,在离子总注量累积4.3×106 ions/cm2时,软错误次数便达到100次;而加固后的电路在同样的LET值下,离子总注量累积到107 ions/cm2时,软错误次数仅为24次,抗SET及SEU能力大大加强.

  • 单位
    成都振芯科技股份有限公司