等离子体辅助蒸发制备InN及其光电性能研究

作者：孙辉; 刘俊; 陈建金; 沈龙海^*

来源：沈阳理工大学学报, 2021, 40(04): 48-52.

• 等离子体辅助蒸发
• 氮化铟
• 光电性能
• 禁带宽度

采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使用分光光度计、拉曼光谱仪和霍尔测量系统检测薄膜的光电特性。结果表明:制备的InN薄膜沿非极性晶面择优生长,薄膜表面由不规则晶粒紧密堆积而成;InN晶体的对称性存在一定缺陷,出现B1振动模式峰;室温下背景电子浓度为1.48×1023cm-3,电子迁移率为2.36×10-1cm2/(V·s);薄膜在近红外波段的透过率高达60%;室温光致发光谱中存在中心波长为573nm的发光峰。

• 单位
  沈阳理工大学