Nb掺杂对Na3.2Hf2Si2.2P0.8O12电性能的影响

作者：齐重兴; 朱靖; 谢荣凯; 王岭^*; 戴磊

来源：唐山师范学院学报, 2020, 42(06): 21-27.

• NASICON
• 固体电解质
• 掺杂
• 电性能

在固体电解质Na3.2Hf2Si2.2P0.8O12的Si位掺杂Nb,得到了具有NASICON结构的固体电解质Na3.2-xHf2NbxSi2.2-xP0.8O12(x=0～0.3)。掺杂量对固体电解质烧结性能和电性能的影响试验结果表明,随着Nb掺杂量的增多,固体电解质变得致密,电导率先增大后减小。当Nb的掺杂量x=0.2时,固体电解质的室温电导率最大,为1.61×10-3 S?cm-1。直流极化法测得的不同温度下的离子迁移数均在0.99以上,证明了固体电解质主要是Na离子传导。

• 单位
  华北理工大学