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摘要
本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及制作方法,包括：S101、选取外延基片；所述外延基片由下往上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；S102、在所述外延基片上制作源电极和漏电极；S103、在所述外延基片表面上依次生长第一钝化层和第二钝化层形成叠层钝化结构；S104、光刻栅极槽,在所述栅极槽和所述第二钝化层上生长栅介质层；S105、制备栅电极和金属互联层以完成所述高电子迁移率晶体管的制备。本发明提供的高电子迁移率晶体管及制作方法在生长SiN层再生长一层Al2O3层,能够有效阻止空气中水分子和氧进入,使得电流崩塌量降到最低。
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