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摘要
本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法.利用激光干涉光刻技术,结合干法和湿法刻蚀工艺,直接将光刻胶点阵刻蚀为硅纳米孔阵结构,省去了图形反转工艺中的金属蒸镀和光刻胶剥离等必要步骤,在2英寸的硅(001)衬底上制备了高度有序的二维纳米孔阵结构.利用干法刻蚀产生的氟碳有机聚合物作为湿法刻蚀的掩膜,以及在干法刻蚀时对样品进行轻微的过刻蚀,使SiO2点阵图形下形成一层很薄的硅台面,是本方法的两个关键工艺步骤.扫描电子显微镜图片结果表明制备的孔阵图形大小均匀,尺寸可控,孔阵周期为450nm,方孔大小为200—280nm.
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