ZnO缓冲层上低温生长Al掺杂的ZnO薄膜

作者：马李刚; 马书懿; 陈海霞; 黄新丽

来源：功能材料, 2011, 42(08): 1516-1519.

• 磁控溅射法
• ZnO缓冲层
• Al掺杂ZnO薄膜
• XRD
• 光致发光 RF magnetron sputtering
• ZnO buffer layer
• Al doped ZnO thin films
• Photoluminescence

采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优取向性发生了改变,且当Al的掺杂量为0.81%(原子分数)时,(002)衍射峰与其它衍射峰强度的比值达到最大,表明适合的Al掺杂使ZnO薄膜的择优取向性得到了改善。在可见光范围内薄膜的平均透过率超过70%。通过对样品光致发光(PL)谱的研究,发现所有样品出现了3个发光峰,分别对应于以444nm(2.80eV)、483nm(2.57eV)为中心的...

• 单位
  西北师范大学; 电子工程学院