TSV铜抛光液的研究进展

作者：王帅; 王如^*; 郑晴平; 刘彬

来源：微纳电子技术, 2023, 60(01): 139-147.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2023.01.017

• 硅通孔(TSV)
• 化学机械抛光(CMP)
• 抛光液
• 抛光速率
• 抛光质量

对硅通孔技术(TSV)在3D堆叠封装领域的优势进行了简单阐述，同时指出化学机械抛光(CMP)技术作为具有高质量和高精度的全局平坦化工艺，是TSV制备过程中最重要的步骤之一。影响化学机械抛光质量以及效率的因素有很多，其中比较关键的是化学机械抛光液的组成成分及其性能。重点从抛光速率、抛光质量(抑制碟形坑、表面粗糙度等)和绿色环保几个方面对抛光液性能的影响进行了讨论，概述了近年来国内外铜抛光液的研究进展。最后，通过对比总结目前铜抛光液的研究成果，对TSV铜抛光液今后的研究重点和发展趋势进行了分析和预测，其应朝着抛光速率和抛光质量的优化、低成本及环境友好的方向发展。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院