SiC MOSFET开关损耗模型

作者：董泽政; 吴新科; 盛况

来源：电力电子技术, 2018, 52(08): 31-85.

• 金属氧化物半导体场效应晶体管
• 封装
• 开关损耗

相比于硅(Si)功率器件,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有耐高温、耐高压、低导通电阻、快速开关等优势,能够极大提升开关速度、减小损耗。传统封装所引入的寄生电感(特别是共源极寄生电感)及SiC MOSFET自身特性参数的非线性现象对于SiC器件的损耗有待进一步评估。针对上述问题提出一种SiC MOSFET的开关损耗模型,并采用热学方法进行了开关损耗的测试。实验结果验证了该模型的准确性,为SiC MOSFET的电路设计提供指导和帮助。

• 单位
  浙江大学