输出窗的二次电子的作用及其抑制措施

作者：郑晓阳; 张永清

来源：真空电子技术, 2011, (03): 59-61.

DOI：10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2011.03.018

• 次级电子
• 倍增效应
• 介质损耗 Secondary electron emission
• Multiplier effect
• Dielectric loss

论述了造成微波输出窗损坏的各种因素,指出了次级电子的倍增效应是输出窗损坏的主要原因。在抑制次级电子发射的工艺措施中,详细介绍了氮化钛薄膜的性能、以及磁控溅射敷膜工艺的特点。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院电子学研究所