IGBT封装中几种局部过热问题的预防

作者：周霖; 颜家圣; 李新安

来源：电力电子技术, 2018, 52(08): 67-69.

• 绝缘栅双极型晶体管
• 局部过热
• 封装

为提高绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件在封装中的可靠性,研究了IGBT封装中容易引起局部过热的几种常见现象,提出了优化设计方法和研究分析。结果表明,适当的热设计对IGBT封装中可靠性有较大帮助。

• 单位
  湖北台基半导体股份有限公司