4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析

作者：陆秋俊; 王中健

来源：电子器件, 2016, 39(03): 505-511.

• 功率器件
• 超结
• 4H-SiC
• 各向异性碰撞电离系数
• 击穿电压(VB)

基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性,首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型,并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑。基于该模型,我们对(0001)和(1120)两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究。与(1120)晶圆相比,(0001)晶圆的碰撞电离系数较小,可以实现更高的击穿电压VB。由于碰撞电离各向异性,与传统4H-Si C基器件相比,超结器件的二维电场分布可以将(1120)晶圆器件的击穿电压VB从(0001)晶圆器件的60%提高到72%。

• 单位
  无锡职业技术学院; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所