55～115GHz宽带GaN功率放大器MMIC

作者：戈勤^*; 徐波; 王维波; 陶洪琪; 吴少兵; **韬

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(06): 398-402.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2018.06.002

• GaN
• 宽带
• 功率放大器
• MMIC

研制了一款基于NEDI 50nm GaN功率MMIC工艺的3mm波段高增益、宽频带功率放大器芯片。芯片采用平衡放大器结构,结合多节微带线阻抗匹配方式实现宽带放大器。由于该频段器件增益较低,通过合理选择输出阻抗点,使放大器实现较高的增益和较大的输出功率。测试结果表明,芯片在8V漏压连续波下工作,在55～110GHz在片测试频率范围内,增益达到15dB,输入输出端口回波损耗基本小于-10dB,便于系统应用。通过分频段测试,在55～115GHz频率范围内,最大饱和输出功率达到180mW。