高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法

作者：陈大正; 穆昌根; 张春福; 赵胜雷; 张进成; 郝跃

来源：2022-12-13, 中国, CN202211598067.0.

本发明涉及一种高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法,GaN HEMT器件结构包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、钝化层、纯p型SnO层、原子掺杂的SnO基薄膜层和栅极,其中,衬底、缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；源极位于势垒层的一端,漏极位于势垒层的另一端；纯p型SnO层位于源极和漏极之间的部分势垒层上；原子掺杂的SnO基薄膜层覆盖纯p型SnO层的上表面；栅极位于原子掺杂的SnO基薄膜层的部分表面上；钝化层覆盖纯p型SnO层和源极之间的势垒层表面、纯p型SnO层和漏极之间的势垒层表面,且覆盖原子掺杂的SnO基薄膜层的部分表面。本发明实施例总体上改善了纯p型SnO GaN HEMT的栅耐压及栅漏电。

• 单位
  西安电子科技大学