一种氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置

作者：袁广才; 闫梁臣; 徐晓光; 王磊; 彭俊彪; 林兰锋

来源：2015-04-30, 中国, CN201510220082.5.

本发明公开了一种氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置,属于平板显示领域。所述氧化物半导体薄膜的成分为包含锆和铟的氧化物。所述氧化物半导体薄膜的制备方法包括：将包含锆和铟的氧化物制备成靶材；对所述靶材进行溅射处理得到氧化物半导体薄膜。本发明能够拓宽薄膜晶体管的光学带隙以及提高薄膜晶体管的迁移率。

• 单位
  华南理工大学; 京东方科技集团股份有限公司