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摘要
金属/碲镉汞电极接触是红外焦平面探测器的重要组成部分，对器件的性能与稳定性影响较大。然而在碲镉汞金属化过程中，金属离子能量较高将有可能对碲镉汞表面造成损伤。本文采用了离子束沉积系统生长金属电极，探究了束流、束压以及热处理等条件对碲镉汞红外探测器接触性能的影响。研究表明，碲镉汞在生长电极后表面会受到一定程度的损伤；随着离子能量的升高，对材料表面损伤加剧。在I-V曲线中，电极沉积损伤较大的器件表现出软击穿现象；在热处理后，在一定程度上可以修复电极沉积时能量过大造成的损伤，提高了电极接触性能。
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单位华北光电技术研究所
