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摘要
本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其钝化层的制备方法,所述制备方法包括以下步骤：在衬底上沉积一层设定厚度的金属氧化物薄膜；将沉积有金属氧化物薄膜的衬底置于结晶皿中,并覆盖结晶皿,使结晶皿密封；所述结晶皿中设有装有有机硅烷溶液的容器,所述沉积有金属氧化物薄膜的衬底与硅烷溶液不直接接触；将结晶皿放入真空烘箱,并将真空烘箱设置在40～300℃下保持0.5～24小时,在金属氧化物薄膜表面得到自组装单分子层作为钝化层。本发明采用气相法制备自组装单分子层作为钝化层,其消除了基材与硅烷溶液的直接接触,避免了过量的水分,金属氧化物薄膜上能够沉积出光滑的硅烷单层。本发明可以广泛应用于半导体技术。
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