雪崩光电器件过剩噪声分析

作者：张冰; 郭雪凯; 胡从振; 辛有泽; 于善哲; 雷述宇^*

来源：激光与红外, 2021, 51(11): 1472-1478.

• 雪崩光电二级管
• 增益
• 雪崩倍增
• 过剩噪声

基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD和Matlab仿真,验证了模型的有效性。模型考虑了光子在硅雪崩器件内不同吸收位置的过剩噪声因子,结合光子在器件深度方向的吸收比例,计算器件(器件结构由TCAD构造)的平均噪声因子水平:2.33@E=3.4×105 V/cm和5.34@E=3.6×105 V/cm,比单独考虑光子在N中性体区吸收(过剩噪声因子:2.88@E=3.4×105 V/cm和12.94@E=3.6×105 V/cm)或P中性体区吸收(过剩噪声因子:2.21@E=3.4×105 V/cm和3.79@E=3.6×105 V/cm),更能反映器件的真实工作情况。

• 单位
  北京大学; 西安交通大学