采用第一性原理方法研究了氧原子在CVD金刚石涂层表面吸附形成的两种氧掺杂结构的差异及脱附CO的难易程度.仿真计算结果表明：氧原子在金刚石表面顶位和桥位吸附形成C=O羰结构和C-O-C醚结构，改变与其直接成键的局部金刚石结构；C-O-C结构吸附能比C=O结构大，其结构更加稳定；C=O结构断键脱附形成CO的能垒比C-O-C结构更低，CVD金刚石涂层表面脱附CO主要是以C=O断键形成；氢终止表面能够增强碳原子之间成键，提高C=O脱附的能垒，而氧终止表面作用相反，降低脱附能垒.
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