22nm FDSOI工艺单粒子瞬态脉宽研究

作者：沈磊; 徐烈伟; 赵凯

来源：电子技术, 2020, 49(02): 7-9.

• 集成电路设计
• FDSOI
• SET
• 脉冲宽度
• 单粒子模拟

针对空间用集成电路共性技术问题,在22nm FDSOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)工艺上开展单粒子效应技术研究意义重大。设计一款宽量程、高分辨率、精度可校准的SET(Single Event Transient)测试芯片,并经过实际流片和单粒子地面模拟试验,精确标定该工艺标准单元的单粒子脉冲宽度,填补当前辐射效应领域尚无该工艺相应数据的空白,为工艺线上设计空间用高性能电路奠定基础。