一种高摆率低功耗无片外电容的LDO设计

作者：徐晨辉; 叶凡; 任俊彦

来源：复旦学报(自然科学版), 2018, 57(01): 79-84.

DOI：10.15943/j.cnki.fdxb-jns.2018.01.010

• 低压差线性稳压器
• 无片外电容
• 高摆率
• 瞬态增强
• 低功耗

本文介绍了一种低功耗的无片外电容快速响应的低压差线性稳压器(LDO),用于数字电路供电.该LDO采用电流型跨导运算放大器,克服了传统运算放大器摆率和静态电流之间的矛盾.提出了一种瞬态增强电路,既可以动态地调整误差放大器偏置,同时也能够直接对调整管栅极电压进行调节,增强了负载瞬态响应性能.该LDO基于28nm CMOS工艺,面积为55×42μm2.输入1.1V,压差约为100mV,最大负载电流50mA.静态电流为5μA,在负载电流变化率为49.9mA/μs的情况下,恢复时间为2.5μs,过冲电压和下冲电压均小于100mV.

• 单位
  复旦大学; 专用集成电路与系统国家重点实验室