锂和镧掺杂取代对SrBi2Nb2O9铁电陶瓷结构及电学性能影响

作者：寻宝琛; 佐晓帅; 徐力; 郭菲菲; 方频阳^*

来源：西安工业大学学报, 2023, 43(04): 323-330.

DOI：10.16185/j.jxatu.edu.cn.2023.04.103

• 铋层状铁电陶瓷
• SrBi2Nb2O9
• 晶格畸变
• 电学性能

为探究掺杂离子尺寸失配诱导材料晶格畸变，实现对铋层状基铁电陶瓷电学性能的精准调控，文中以传统固相法制备Sr1-x(LiLa)x/2Bi2Nb2O9(SBN-xLiLa,x=0,0.1,0.3,0.5)陶瓷。采用X射线衍射分析仪、扫描电子显微镜对结构及形貌表征；SBN-xLiLa为正交单相结构且晶粒均为典型片状结构。采用Agilent 4294A阻抗分析仪、准静态测试仪和铁电分析仪等进行电学性能测试；当x=0.3时综合性能达到最佳：Pr=9.04μC·cm-2,d33=29pC/N,且居里温度可达471℃;掺杂离子含量引起晶格畸变，导致晶胞参数改变，是SBN-xLiLa陶瓷电学性能提高的重要原因。

• 单位
  西安工业大学; 材料与化工学院