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摘要
本文以UHF RFID芯片先进封装Bump工艺结构为切入点，分析了NXP Ucode7芯片和Impinj Monza5芯片常规Au Bump工艺结构特点，进而重点分析了现阶段市场应用诸多且技术最前沿的Impinj M700系列芯片和NXP Ucode9芯片的先进Bump工艺结构形式及特点，给出对应Bump工艺材料及Bump结构尺寸信息，阐明了先进Bump结构标签芯片的电性能优势，文章对RFID电子标签芯片Bump工艺材料及结构的选择具有一定参考意义。
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本文以UHF RFID芯片先进封装Bump工艺结构为切入点，分析了NXP Ucode7芯片和Impinj Monza5芯片常规Au Bump工艺结构特点，进而重点分析了现阶段市场应用诸多且技术最前沿的Impinj M700系列芯片和NXP Ucode9芯片的先进Bump工艺结构形式及特点，给出对应Bump工艺材料及Bump结构尺寸信息，阐明了先进Bump结构标签芯片的电性能优势，文章对RFID电子标签芯片Bump工艺材料及结构的选择具有一定参考意义。
