Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究

作者：单正平; 顾书林; 朱顺明

来源：半导体技术, 2008, S1: 353-356.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.104

• MOCVD
• ZnMgO
• 紫外探测器 MOCVD
• Zn1-xMgxO
• UV-detector

以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/ZnO基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响应度1.9×10-4A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比可见光450nm处的响应度高出两个数量级。

• 单位
  固体微结构物理国家重点实验室