MEMS SOI高温压力传感器芯片

作者：郭玉刚; 饶浩; 陶茂军; 田雷; 吴佐飞

来源：传感器与微系统, 2018, 37(11): 92-95.

DOI：10.13873/j.1000-9787(2018)11-0092-04

• 压力传感器
• 绝缘体上硅
• 微机电系统
• 稳定性

研制了一种基于微机电系统(MEMS)技术的压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。压力敏感电阻器与衬底之间采用二氧化硅介质隔离,解决了传统的PN结隔离方式在高温条件下的漏电失效问题。研制的高温压力芯片压力量程为02 MPa,室温1 m A条件下满量程输出信号达到100 m V以上,非线性小于0.15%FS,压力迟滞小于0.05%FS。在-55+150℃温度范围内,零点温度系数小于20μV/℃,灵敏度温度系数小于0.02%FS/℃,零点温度迟滞小于0.1%FS。将芯片样本在150℃环境下进行了短期零点时漂测试验证其稳定性,结果优于0.05%FS。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十九研究所