摘要

设计一种具有失调电压抑制能力的低功耗带隙基准电路,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行实现。通过对新型带隙基准结构工作机理进行分析可知,与常规带隙基准电路相比,新型带隙基准结构具有明显的失调电压抑制能力,降低了对误差放大器的性能要求,具有低功耗、低失调电压和结构简单等优点。

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