一种低关断功耗的地端关断整流器

作者:李兴旺; 韦保林*; 农茜雯; 包蕾; 徐卫林; 段吉海
来源:微电子学, 2019, 49(01): 102-106.
DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.180188

摘要

基于TSMC 180nm CMOS工艺,设计了一种采用负压关断的地端关断整流器。将关断时的控制电平从0降到负值,降低了使能管的亚阈值电流。将使能管的工作状态从亚阈值区变为截止区,进一步降低了关断功耗。仿真结果表明,当整流器使能时,该负压地端关断整流器的导通性能与传统地端关断整流器几乎相当。当整流器关断且输入电压幅值为1 V时,关断功耗为-24.0dBm@953MHz,与传统地端关断整流器相比,下降了7.5dBm;与传统短路关断整流器相比,降低了23dBm,功率转换效率提高了1.9%。该地端关断整流器能满足射频能量收集系统中整流器低功耗待机的要求。

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