SiC半导体材料和工艺的发展状况

作者：崔晓英

来源：电子产品可靠性与环境试验, 2007, (04): 58-62.

• 碳化硅器件
• 器件工艺
• 半导体材料 SiC device
• process
• semiconductor material

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围。阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势。