温度控制织构金属基带上YBCO外延薄膜生长及缺陷研究

作者：徐亚新; 熊杰; 夏钰东; 张飞; 薛炎; 陶伯万

来源：无机材料学报, 2013, (05): 491-496.

• YBa2Cu3O7-δ(YBCO)
• 基片温度
• 生长取向
• 位错密度 YBa2Cu3O7-δ(YBCO)
• substrate temperature
• crystal orientation
• dislocation density

采用直流溅射法在Y2O3/Y S Z/C e O2(Y Y C)缓冲层的织构N i W基带上,通过基片温度调制YBa2Cu3O7-δ(YBCO)外延薄膜生长。X射线衍射仪(XRD)表征显示,基片温度强烈地影响YBCO薄膜的外延生长:在较低的基片温度下薄膜趋于a轴取向生长,随基片温度升高薄膜逐渐变为纯c轴取向生长。由于a轴晶粒引起的大角度晶界会阻碍超导电流在a-b面内的传输,因此YBCO薄膜的微观结构和超导电性能随温度升高而得到改善,但是随着基片温度继续升高,基带的氧化程度加剧,YBCO与缓冲层间发生界面反应,从而导致薄膜质量衰退。本研究还计算了YBCO薄膜中的位错密度,并研究了位错密度与自场下...

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学