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摘要
本发明公开了具有多金属栅结构的HEMT器件及其制备方法。该器件包括AlGaN/GaN外延,AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极,源漏电极靠近源极侧设置栅电极,栅电极第一层金属X采用电子束蒸发方式沉积,栅电极第二层金属Y采用磁控溅射方式沉积,栅电极第二层金属Y的功函数高于第一层金属X的功函数,无需光刻,栅电极剥离后形成的与(Al)GaN接触的金属结构为Y/X/Y。与(Al)GaN接触的是多金属栅结构,使得电场重新分布,降低了靠近漏极的栅极边缘的电场峰值,提高了器件的击穿电压；同时,较低的栅极边缘的电场峰值减弱了栅极注入电子以形成虚栅效应,降低了器件的电流崩塌,提高了器件的动态性能。
- 单位
