700V单晶扩散型LDMOS的特性与模型

作者：苏健; 方健; 武洁; 张波; 李肇基; 罗萍

来源：微电子学, 2004, (02): 192-194.

• LDMOS
• 准饱和特性
• 准漏极
• 宏模型

　文章对耐压700V的单晶扩散型LDMOS进行了研究。借助二维数值模拟器MEDICI,详细分析了LDMOS的准饱和特性产生机理,以及准漏极(quasidrain)的相关特性;采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取得了较好的仿真结果。

• 单位
  电子科技大学