NC-FinFET器件的仿真研究

作者：杨荣强; 钱雅倩; 粟雅娟; 王颖倩; 陈睿; 陈颖; 盖天洋; 郭成; 屈通; 韦亚一

来源：微电子学, 2020, 50(03): 410-415.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190367

• NC-FinFET
• 负电容
• 亚阈值摆幅
• BSIMCMG模型
• 衬偏效应

通过结合BSIMCMG模型与负电容(NC)模型,构建了NC-FinFET模型。基于所建立的NC-FinFET模型,推导分析了其等效电容模型。利用Hspice对NC-FinFET的器件特性进行了系统仿真与分析。结果表明,与FinFET相比,NC-FinFET在电学特性上有更加明显的优势,亚阈值摆幅更低。此外,分析了铁电材料的厚度对亚阈值摆幅及栅压放大倍数的影响,以及衬偏电压对NC-FinFET性能的影响,为在NC-FinFET中降低功耗和抑制寄生效应提供了理论依据和解决思路。

• 单位
  中国科学院微电子研究所; 中国科学院大学; 中芯国际集成电路制造有限公司