基于1.5 μm 32 V双极工艺制造的某芯片在经历老炼、温度循环试验后,芯片内部齐纳管电压发生明显漂移,严重影响了芯片性能。针对该现象,本文开展了齐纳管电压漂移的机理分析和试验验证,并提出了齐纳管电压漂移的解决方法。经过试验证明,改进后的齐纳管电压稳定性得到很大提升,电压漂移由原来的1～2 V减小到100 mV以内。
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