表面缺陷对一氧化碳和甲基基团在金红石TiO2(110)表面吸附的影响(英文)

作者：唐登芳; 陈晓; 郭庆; 杨文绍^*

来源：Chinese Journal of Chemical Physics, 2021, 34(03): 249-257.

• 程序升温脱附
• TiO2(110)
• 氧空位
• 吸附位点
• 表面缺陷

本文利用程序升温脱附技术研究了氧空位浓度对甲基基团和CO在R-TiO2(110)表面吸附的影响.结果表明,随着氧空位浓度的变化,吸附在桥氧位的甲基基团和吸附在五配位Ti4+位点上的CO分子的脱附温度呈现了不同的趋势,揭示了表面缺陷可能对RTiO2(110)不同位点上的物质吸附具有重要影响.

• 单位
  高等研究院; 南方科技大学; 浙江师范大学