掺Si对热压合成Ti_2AlC/Ti_3AlC_2的影响及理论分析

作者：王苹; 梅炳初; 闵新民; 洪小林; 周卫兵

来源：功能材料, 2007, (06): 1037-1040.

• Si掺杂
• 热压
• Ti2AlC/Ti3AlC2
• 理论分析 Si-doped
• hot pressing
• theoretical analysis

采用热压工艺以Ti、Al、Si元素粉和活性炭为原料,分别以2.0Ti/1.1Al/1.0C(摩尔比)及以0.1和0.2mol的Si取代Al,合成了Ti2AlC/Ti3AlC2块体材料。通过建立Ti2AlC、Ti3AlC2和掺Si的计算模型,计算了平均原子净电荷和平均共价键键级。结果表明:以元素粉2.0Ti/1.1Al/1.0C为原料在1450℃热压60min合成只含有非常少量Ti3AlC2的Ti2AlC材料;当Si取代Al达到0.2mol时,作用非常明显,表现为使同一温度下Ti3AlC2含量增加而Ti2AlC含量减少。另外,应用掺Si后对原子净电荷和共价键键级的影响解释了实验结果。

• 单位
  武汉理工大学; 材料复合新技术国家重点实验室