基于纵向渐变p型掺杂浓度结构的氧化镓pn二极管及制备方法

作者：郑雪峰; 张翔宇; 洪悦华; 何云龙; 苑子健; 马晓华; 郝跃

来源：2022-07-21, 中国, CN202210869618.6.

本发明公开了一种基于纵向渐变p型掺杂浓度结构的氧化镓pn二极管及制备方法,主要解决现有技术在提高器件反向击穿电压的同时严重增大器件的正向导通电阻和器件功耗的问题。其自下而上,包括：阴极欧姆金属、氧化镓衬底、氧化镓漂移层、p型半导体层和阳极金属,其中,p型半导体层由至少三层不同掺杂浓度的p型半导体材料按其掺杂浓度从1×10～(16)cm～(-3)渐变至1×10～(20)cm～(-3)这种从低到高的顺序依次在氧化镓漂移层上沉积形成,以形成氧化镓漂移层与较低掺杂浓度的p型材料接触和阳极金属与较高掺杂浓度的p型材料接触,实现器件在提升反向击穿电压的同时降低器件的导通电阻,本发明提高了氧化镓器件的巴利加优值,可用于电子系统。

• 单位
  西安电子科技大学