摘要
采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),以SiH4和H2作为气源制备a-Si:H薄膜钝化Cz-Si表面,采用准稳态光电导法和IV法分析了工艺参数变化对钝化效果的影响,采用CV和深能级瞬态谱法(DLTS)对钝化后硅片表面的缺陷态进行测试,分析得出如下结论:表面复合速率为54cm/s的硅片,在频率为200KHz时,表面缺陷态密度为1.02×1011eV-1cm-2,固定电荷密度为6.12×1011cm-2;本征a-Si:H对于硅片表面的钝化效果是由该薄膜在硅片表面引入的氢对应的键终止和由其引入的固定电荷形成的场钝化效应所共同决定的;本征a-Si:H钝化后硅片表面的深能级缺陷特征是电子陷阱,激活能和俘...
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