Gd4(Bi,Ge)3化合物的室温磁熵变效应(英文)

作者：朱宇涛; 马春兰; 姚金雷^*

来源：苏州科技大学学报(自然科学版), 2019, 36(03): 25-30.

• 磁卡效应
• 磁熵变
• 稀土化合物
• 标度假设
• 临界行为

通过电弧熔炼和随后的退火处理制备出单相多晶化合物Gd4Bi3-xGex(x=0,1和2)。Gd4Bi3-xGex的晶体结构为反Th3P4型,空间群为I-43d。晶胞参数a从x=0的0.939 93(2) nm减少到x=2的0.906 97(2) nm。通过Arrott方法得到x=0,1和2的居里温度分别为327、350和296 K。5 T变场下,x=0,1和2的最大磁熵变分别为2.7、2.3和3.4 J·kg-1·K-1,相对制冷能力分别为257、184和442 J·kg-1。居里温度附近的临界磁行为遵循标度理论。居里温度之上和之下的等温磁化曲线可用两个不同的正则函数描述。分析表明,Gd4BiGe2在铁磁-顺磁转变附近的磁行为为平均场下的长程相互作用。

• 单位
  苏州科技大学; 数理学院