PZT铁电薄膜底电极制备工艺的研究

作者：江政; 杨成韬; 霍伟荣; 赵鹏

来源：分析测试技术与仪器, 2010, (02): 78-82.

• 磁控溅射
• PZT铁电薄膜
• 底电极
• 退火 magnetron sputtering
• PZT
• bottom electrode
• annealing

利用磁控溅射方法在Si(001)基片上制备Ti/Pt底电极,其厚度大概分别为20、100 nm,其中Ti电极作为缓冲层,随后在上面溅射PZT铁电薄膜.研究了不同电极的制备工艺对电极形貌、取向以及对PZT铁电薄膜的制备带来的影响.结果表明,底电极的溅射温度以及退火温度对于底电极起着至关重要的作用,同时具有良好(111)取向的、致密性较好的底电极对于PZT铁电薄膜的生长具有重要的影响.

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学